近日，位于无锡蠡园开发区的代表性企业高性能SiC（碳化硅）模块厂家——无锡利普思半导体有限公司迎来重磅消息：完成近亿元A轮融资，由德联资本领投，沃衍资本、飞图创投跟投。该轮资金将主要用于公司研发设备投入以及市场推广，加快SiC模块的产业化。
利普思成立于2019年，专注高性能SiC与IGBT功率模块的研发、生产和销售，拥有创新的封装材料和封装技术，为新能源汽车、氢能商用车、光伏等行业应用的控制器提供小型化、轻量化和高效化的功率模块解决方案。
目前，公司已经申请专利26项，其中发明专利13项。
模组方案：解决最核心技术难题
功率半导体作为电能转换的核心器件，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、工业控制、光伏和风电等领域，市场空间巨大。
据市场研究机构IHS数据，2020年我国功率半导体市场规模有望达159亿美元（约1015亿元人民币），到2024年，全球功率半导体市场规模预计将超过500亿美元（约3193亿元人民币）。
尽管功率半导体市场占据了全球超1/3的规模，但面向高端领域的功率器件国产率极低，高端国产功率模块的可靠性不足也导致市占率较低，90%以上的中高端MOSFET及IGBT，SiC器件仍然依赖进口。主要原因有两点：一是高端功率器件主要应用在新能源汽车、风力发电、光伏等领域，这些领域对功率模组的电气设计、散热、机械，可靠性，工艺等方面都有着高要求，国内IGBT与SiC模组设计与制造工艺相对滞后；二是芯片设计方面，小功率芯片通常采用单管电流设计，而大功率芯片需要集成到模组中，通过更多芯片并联达到大功率电流的效果，尤其是汽车应用中，国内相关模组企业同样与国际水平存在差距。
值得一提的是，利普思的核心产品覆盖SiC和IGBT两个品类，其中应用于氢能商用车和光伏的SiC，以及应用在充电桩、工业变频器、商用车等方面的IGBT已实现批量生产。
“公司的第三代功率半导体SiC模块技术水平已能和国际知名品牌产品展开直接竞争，尤其是其采用的全银烧结，使用利普思专利的芯片表面连接技术的直接水冷结构、电气特性、散热、功率密度已经达到了国际领先水平。”利普思联合创始人、COO丁烜明告诉记者，相对于其他品牌SiC模块的单管方案（每个单管集成2块芯片，共并联24个小单管，方案对单管的封装、焊接、连接一致性要求很高，系统应用的工艺难度系数大），利普思采用的模组方案，通过自研的芯片表面连接Arc Bonding专利技术，能够实现多个100A电流的芯片连接、6-10个并联，大大提高了模组的电流能力、功率密度和可靠性，可以实现更小的电动汽车驱动体积，更高的功率密度有利于中国电动汽车厂家快速进行电驱的研发与生产。
研发团队：涵盖芯片应用全领域
利普思一系列技术优势实现的背后，与公司团队的正向开发能力息息相关。目前，公司在日本设有研发中心，该研发中心已初具规模，具备完整的先进模块封装和验证测试能力。公司已经拥有数十位涵盖芯片设计、封装材料、封装设计、生产工艺、模块应用等领域的中国与日本的行业专家。
在这些行业专家中：公司创始人、CEO梁小广曾任职于三菱电机、安森美、采埃孚，拥有16年以上IGBT、SiC功率半导体研发经验，以及多项相关国际专利；公司联合创始人、COO丁烜明曾任上海电驱动事业部总监，熟悉电动汽车客户、供应链和质量体系要求；联合创始人邱威曾就职于理查森，有十几年的电子器件行业销售经验；日本研发团队成员平均半导体从业时间为20年以上，曾就职于三洋，三菱、东芝、日立等公司，研发中心负责人之一的夏目先生曾担任安森美日本总经理。
在产品出货方面，利普思的SiC产品已于今年下半年开始量产，明年销售额将实现一个大的突破，SiC模块将超数十万个。
丁烜明告诉记者，公司将在2022年完成乘用车SiC模块产品量产，其中下一代SiC控制器平台将比市面上同样电流的模块体积减小30%以上，还可根据不同电流要求定制，覆盖150KW-400KW功率。
产品推广方面，利普思已经以氢能商用车作为市场突破口，逐步拓展到其他商用车市场，以及光伏等工业市场，同时重点布局乘用车市场。
产品在核心技术的不断攻坚中自然迎来了大量资本的青睐。德联资本执行董事方宏博士表示：在能源结构调整的大环境下，能源供给侧和消费侧设备和器件功率密度的提升是必然趋势，SiC应用正在全面加速。利普思是国内少有的从基础材料到封装工艺进行底层创新研发和量产的SiC模块团队，非常看好其在汽车、光伏、工业等领域的地位。沃衍资本合伙人金鼎博士表示，利普思汇聚了国内外少有的实战经验丰富的行业技术专家，期待和利普思的合作，助力其成为国内一流的功率模块供应商。飞图创投投资总监刘一明称，利普思半导体拥有行业内独特的SiC模块封装工艺技术，能够实现模块更小尺寸更高效率，市场空间巨大。
产业发展：全力构建优质生态圈
集成电路产业是基础性先导性产业，是无锡最具核心竞争力和持久爆发力影响力的产业。近年来在一批懂产业、善作为、有情怀的企业家助推下，无锡集成电路产业取得了长足发展，但对照地标产业要求和企业所需所盼还有不少差距短板，必须进一步攻坚克难、破解制约，推动无锡集成电路产业高质量发展迈向新的更高台阶。
11月17日至18日，无锡市代市长赵建军深入企业、院所、服务平台，并召开企业家座谈会，专题调研推动无锡市集成电路产业高质量发展，强调要围绕产业延链、企业做强、人才集聚、技术突破，全力构建优质产业生态圈，加快打造具有国际竞争力的集成电路地标产业，奋力谱写走在现代化建设最前列的无锡“芯”篇章。
这次会议明确，无锡各地各级要强化目标导向，围绕集成电路产业规模“五年翻番”目标，进一步发挥好无锡的先发优势、配套优势、市场优势、产能优势、环境优势，持续做强和优化设计、制造、封测和装备、材料产业，加快把集成电路产业打造成为无锡地标产业的龙头。
在抢抓发展机遇上，要牢牢把握“风口期”，进一步狠抓重大项目、集聚新兴企业、落地专业基金，鼓励企业增资扩能、新上项目，积极引进第三代半导体等领域领军团队和龙头企业，加大专业基金、头部基金等资本加持，抢占未来发展制高点。全力支持企业跨越发展，特别是龙头企业和细分领域头部企业扩大投资、垂直一体化IDM整合、制造拓展产业链、实施对外并购、开展兼并重组、建设研发平台、服务当地建立产业链供应链。
无锡利普思半导体有限公司2019年落户蠡园开发区，作为一家专注于SiC和IGBT等功率半导体模块设计、生产、销售的第三代半导体企业，产品广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业变频、光伏逆变、电机驱动、医疗器械、电源等场景和领域。
2020年11月，利普思半导体一路过关斩将，作为江苏唯一一家初创组参赛企业，入围了第九届中国创新创业大赛全国总决赛，并最终获得初创企业第二名。
目前已启动无锡的研发实验室和车规级SiC模块封装线建设，项目投产后，将形成年产数十万台的SiC模块产能。
